יבמ ומיקרון יבנו שבבי זיכרון רב-שכבתיים

יבמ תספק ליצרנית שבבי המחשב מיקרון טכנולוגיות ותהליכי יצור חדשים המאפשרים בניית שבבים תלת-מימדיים. מיקרון תייצר סוג חדש של שבבי זיכרון העושים שימוש בטכנולוגית קידוח דרך שכבות סיליקון – TSV – המאפשרת לשבבי "קוביית זיכרון היברידית" להציג מהירות עבודה גבוהה פי 15

המפתח להאצה הזאת נמצא במבנה התלת מימדי של השבב: בעוד שבבי מחשב רגילים פרוסים לרוחב במפלס אחד בלבד, מאפשרת טכנולוגיית הייצור החדשה של יבמ לבנות שבבים "רב-שכבתיים", במתכונת המקצרת את הדרך אותה נדרש אות חשמלי לעבור על מנת להגיע ליעדו.

כשם שמתכנני ערים מתאמצים לדחוס יותר תושבים ופונקציות אל תוך גוש בניינים אחד באמצעות בנייה לגובה, נאבקים מתכנני שבבים על מנת למצוא דרכים שיאפשרו להם לבנות את השבב לגובה, במקום לדחוס עוד ועוד רכיבים לרוחב שטח השבב. הרעיון הבסיסי שפותח ביבמ, מדבר על הצבת שכבות שבב זו מעל זו.

הגישה החדשה לבניית שבבים דורשת פחות אנרגיה ופחות מקום: קיצור המרחק אותו צריך האות החשמלי לעבור מאפשר צמצום צריכת הזרם, ומוביל גם להקטנת פליטת החום.

במסגרת שיתוף הפעולה בין יבמ וחברת מיקרון, תסיר מיקרון חלק מהמעגלים המרכיבים כיום את שבבי הזיכרון שלה ומטפלים בתקשורת בין השבבים האלה ובין שבבים אחרים – ותעביר את המשימות האלה לשבב ייעודי מיוחד של יבמ, שיהווה למעשה את שכבת הבסיס, במפלס שמתחת לארבע עד שמונה שכבות של שבבי זיכרון.

יתרון מרכזי בטכנולוגיית הייצור שפותחה על ידי יבמ, הוא האפשרות להמשיך ולהשתמש בציוד הייצור הקיים כיום בתעשייה, ובתהליכי הייצור המקובלים בעולם השבבים.

מוצרים ראשונים הנבנים במסגרת שיתוף הפעולה בין יבמ ומיקרון צפויים להיות זמינים לאספקה במחצית השניה של 2012.